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美新内存技术号称可替代DRAMflash【冷门】

发布时间:2019-06-14 15:07:50 阅读: 来源:风口厂家
美新内存技术号称可替代DRAM/flash - 单片机/处理器 - 电子工程网 美国北卡罗莱纳州立大学(North Carolina State University)最近宣布开发出一种“通用(universal)”内存技术,号称结合了DRAM的速度,同时具备闪存的非挥发特性与密度优势。 研究人员表示,这种新内存技术采用了双浮动栅(double floating-gate)场效晶体管(FET),能允许计算机将目前未被存取的内存断电,因此能大幅降低包括可携式/桌上型PC与服务器、数据中心等各种计算机的耗电量。“采用我们的新式双浮动栅架构之内存,速度应可媲美DRAM,但需要经常刷新(refresh);其密度则可达到闪存的水平。”北卡罗莱纳州立大学电子工程教授Paul Franzon表示。 双浮动栅是以直接穿隧(direct tunneling)方式储存电荷来代替位,而不是像闪存那样透过热电子注入(hot electron injection),并因此能以较低的电压运作。由于堆栈中的第一个浮动栅会泄漏(leaky),因此需要跟DRAM差不多的刷新频率(16毫秒);但透过提高电压,其数据值(data value)可被转移到第二个浮动栅——其角色更类似传统闪存,可提供较长期间的非挥发性储存。 当计算机在运作中,可正常使用双浮动栅FET作为主存储器;在计算机闲置时,其数据值就能转移到第二个浮动栅,以将内存芯片断电。当计算机需要再次存取所储存的数据值,第二个浮动栅会快速将所储存的电荷转回去第一个浮动栅,并恢复正常运作。“我们相信这种新内存组件,能实现依运算需求比例式分配功率(power-proportional)的计算机,让内存可在低使用率期间被关闭,又不影响系统性能。”Franzon表示。

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