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回收废硅片定向调整与表面取向昆山公厚物资回收有限万芳

发布时间:2020-02-14 10:56:05 阅读: 来源:风口厂家

回收废硅片定向、调整与表面取向-昆山公厚物资回收有限公司

光图定向法简单直观,但是误差大、精度不高,其准确度一般在30 以内;X射线衍射定向法相对复杂一些,但是误差小、精度高,准确度可以达到1以上。不管采用何种方法,定向切割的基本步骤如下:①测定晶体的现有取向;②根据测定结果和废硅片表面取向要求计算应调整的角度与方向;③根据回收废硅片计算结果进行相应调整设置、切与校对。为便于测量和计算,通常将晶体的空间取向分解为水平(x)方向和垂直(y)方向两个分量。光图定向仪测角仪可同时测得两个分量,而X射线衍射定向仪一般只设有水平测角仪,所以需通过转动晶体来分别进行两个分量的测定。偏晶向切割时需注意偏离方向,通常规定,偏离切割时应沿主参考面向最近的 110,方向偏离,体现在反射光图上,罗则如图2-29所示。为了便于调节,通常在固定装载晶体时即按此图所示意的反射光图位置放置硅单晶。若是采用X射线衍射定向法,贝潮利用定位面与光图的关系来确定晶体的放置位置。回收废硅片表面取向指废硅片表面的结晶学方向极其偏离,如(110)30表示废硅片表面结晶学方向为(110),偏离了30(100)20 则表示废硅片表面的结晶学方向为(IOO),偏离离20,此两例偏离在1。以内,通常视为正晶向。(111) 4。表示废硅片表面的结晶学方向为(111)偏离4。是偏离切割的结果。这一部分前一节已经有所介绍,就不再多做重复。回收废硅片表面质量特性参数废硅片表面质量特性参数包括崩边、缺口、裂纹、刀痕和线痕,如图2-33。(1)崩边崩边指废硅片表面或边缘非穿通性的缺损。(2)缺口一种完全贯穿废硅片厚度区域的边缘缺损称为缺口。(3)裂纹延伸到废硅片表面的解理或裂痕,它可能贯穿,也可能不贯穿废硅片厚度区域。(4))9痕(线痕)59痕(线痕)是废硅片在生产加工过程中)9具在其表面留下的痕迹。内圆切割中呈现为一系列半径为),具半径的曲线状凹陷或隆起,称为),痕;线切割过程中由于钢线运运动形成铂凹痕迹称为线痕。本文出自:http://zhangpu.zz91.com/

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