回收废硅片定向调整与表面取向昆山公厚物资回收有限万芳

回收废硅片定向、调整与表面取向-昆山公厚物资回收有限公司

光图定向法简单直观，但是误差大、精度不高，其准确度一般在30 以内；X射线衍射定向法相对复杂一些，但是误差小、精度高，准确度可以达到1以上。不管采用何种方法，定向切割的基本步骤如下：①测定晶体的现有取向；②根据测定结果和废硅片表面取向要求计算应调整的角度与方向；③根据回收废硅片计算结果进行相应调整设置、切与校对。为便于测量和计算，通常将晶体的空间取向分解为水平(x)方向和垂直(y)方向两个分量。光图定向仪测角仪可同时测得两个分量，而X射线衍射定向仪一般只设有水平测角仪，所以需通过转动晶体来分别进行两个分量的测定。偏晶向切割时需注意偏离方向，通常规定，偏离切割时应沿主参考面向最近的 110，方向偏离，体现在反射光图上，罗则如图2-29所示。为了便于调节，通常在固定装载晶体时即按此图所示意的反射光图位置放置硅单晶。若是采用X射线衍射定向法，贝潮利用定位面与光图的关系来确定晶体的放置位置。回收废硅片表面取向指废硅片表面的结晶学方向极其偏离，如(110)30表示废硅片表面结晶学方向为(110)，偏离了30(100)20 则表示废硅片表面的结晶学方向为(IOO)，偏离离20，此两例偏离在1。以内，通常视为正晶向。(111) 4。表示废硅片表面的结晶学方向为(111)偏离4。是偏离切割的结果。这一部分前一节已经有所介绍，就不再多做重复。回收废硅片表面质量特性参数废硅片表面质量特性参数包括崩边、缺口、裂纹、刀痕和线痕，如图2-33。(1)崩边崩边指废硅片表面或边缘非穿通性的缺损。(2)缺口一种完全贯穿废硅片厚度区域的边缘缺损称为缺口。(3)裂纹延伸到废硅片表面的解理或裂痕，它可能贯穿，也可能不贯穿废硅片厚度区域。(4))9痕（线痕）59痕（线痕）是废硅片在生产加工过程中）9具在其表面留下的痕迹。内圆切割中呈现为一系列半径为），具半径的曲线状凹陷或隆起，称为），痕；线切割过程中由于钢线运运动形成铂凹痕迹称为线痕。本文出自：http://zhangpu.zz91.com/

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